중국, AI·바이오의약·태양광 기술 수출규제 확대

[거래 유형별 점검 체크리스트]

번호

산업 분야

기술번호

기술명

통제 요건

1

인터넷 및 관련 서비스업

266401J

고성능 탐지기술

중국의 네트워크 데이터 국외 이전에 따른 보안위험의 예방 및 대응을 위해 전용으로 또는 주로 사용되는 위조 판별 시스템 및 장비의 제조기술로서, 심층합성(Deep Synthesis) 영상·음성·이미지 또는 멀티모달 정보의 탐지 정확도 및 재현율이 각각 95% 이상인 기술.

2

266402J

정보대항 기술

1. 다음 중 어느 하나의 특성을 가지며 국가 핵심정보인프라, 국방·군수산업, 핵심 정부업무 등 고도의 민감성을 가진 시스템을 공격하거나 국가안보 방어체계를 우회하는 데 사용될 수 있는 AI 자율 구동형 악성코드 생성 및 변형 기술:

(1) 다중 엔진 악성코드 탐지기에 대한 공격 성공률 60% 이상; 

(2) 단일 주요 백신 프로그램에 대한 공격 성공률 85% 이상; 

(3) 머신러닝 모델에 대한 공격 성공률 90% 이상.

2. 다음 중 어느 하나의 특성을 가지며 국가 핵심정보인프라, 국방·군수산업, 핵심 정부업무 등 고도의 민감성을 가진 시스템을 공격하거나 국가안보 방어체계를 우회하는 데 사용될 수 있는 적대적 환경에 대한 적응형 진화 및 실행 중 동적 행위 수정 기술:

(1) 가상화 샌드박스·디버거·에뮬레이터를 탐지하고 보안제품의 종류·버전을 식별하거나 샌드박스 탈출을 구현; (2) 악성 기능을 온전히 유지하면서 실행할 때마다 코드 구조 또는 제어 흐름의 50% 이상을 자동 재작성.

3. 다음 중 어느 하나의 특성을 가지며 국가 핵심정보인프라, 국방·군수산업, 핵심 정부업무 등 고도의 민감성을 가진 시스템을 공격하거나 국가안보 방어체계를 우회하는 데 사용될 수 있는 백신 탐지를 회피하는 변종 악성코드를 자동으로 대량 생성하고, 분산된 환경에서 대규모로 배포하는 기술

(1) 1회에 기능은 같고 구조는 다른 변종 20개 이상 생성 또는 엔드투엔드 자동화율 80% 이상;

(2) 단일 기준 페이로드를 바탕으로 24시간마다 구문트리 차이도가 30% 이상인 변종을 10개 초과 생성; 

(3) 표본 변종의 샌드박스 내 행위 프로파일 일치율 90% 이상.

3

소프트웨어 및 정보기술 서비스업

266501J

AI 대규모 모델 기술

중국의 핵심데이터를 이용하여 학습한 후 서비스를 제공하는 대규모 모델.

주: ‘핵심데이터’의 범위는 「중화인민공화국 데이터안전법」 등 관련 법령에 따라 정한다.

4

266502J

AI 에이전트 기술

국가 핵심정보인프라, 국방·군수산업, 핵심 정부업무 등 고도의 민감성을 가진 분야에 전용으로 또는 주로 적용되며 고성능 수준에 도달한 AI 에이전트.

주: ‘고성능’이란 266505X 제한류 AI 에이전트 기술의 통제지표에 도달한 것을 의미한다.

5

인터넷 및 관련 서비스업

266402X

고성능 탐지기술

(해당 유형 기술의 기존 7개 항목에 다음 항목 추가)
 8. 심층합성 영상·음성·이미지 또는 멀티모달 정보의 탐지 시스템 및 장비 제조기술로서 정확도 및 재현율이 각각 98% 이상인 기술.

9. 다음 특성을 모두 충족하는 영상·이미지 정보 은닉 및 추출 기술:

(1) 높은 강건성: 비트 오류율 0.5% 이하 또는 재현율 99.9% 이상; 

(2) 낮은 오경보율: 위양성률(FPR) 0.1% 이하; 

(3) 높은 비인지성: 구조적 유사도 지수(SSIM) 0.999 이상이거나, 최대 신호대잡음비(PSNR) 41dB 이상 또는 학습 기반 지각 이미지 패치 유사도(LPIPS) 0.005 이하.

6

266404X

정보대항 기술

(해당 유형 기술의 기존 5개 항목에 다음 항목 추가)

6. 다음 중 어느 하나의 특성을 가진 AI 보조 취약점 발굴 기술:

(1) 공신력 있는 보안 벤치마크 테스트에서 취약점 재현 또는 악용 가능성 판정 점수 75% 이상;

(2) 공개된 기존 취약점의 분석부터 완전한 악용 체인 구축까지 독자적으로 수행하는 엔드투엔드 성공률이 주요 운영체제·브라우저에 대해 50% 이상이거나 임의 코드 실행 수준의 악용 구성에 대해 40% 이상;

(3) 취약점 발굴·악용 효율이 숙련 보안전문가 기준 대비 10배 이상이거나 표준 취약점 데이터베이스 보안 벤치마크 테스트에서 악용 가능한 취약점 발견 건수가 10배 이상;

(4) 위험도가 낮거나 중간인 소프트웨어 결함 2개 이상을 자율적으로 연결하여 완전한 다단계 공격 체인을 구성하고 실행 가능한 개념증명(PoC) 코드 생성;

(5) 통상적 테스트체계에서 주요 오픈소스 프로젝트 또는 주요 운영체제 하나에서 미공개 고위험 보안결함 5개 초과 또는 미공개 보안결함 50개 초과를 한 번에 자율 발견;

(6) 국내외 주요 취약점 악용능력 등급체계상 최고 등급 도달.

7

소프트웨어 및 정보기술 서비스업

266501X

정보처리 기술

(해당 유형 기술의 기존 18개 항목에 다음 항목 추가)

19. 음성·성문 핵심 알고리즘 기술, 공격 방지·위조 방지 기술, 성문 인식 시스템 기술, 성문 데이터 처리·보호 등을 포함하며, 다음 중 어느 하나의 특성을 가진 성문 인식 기술:

(1) 위양성률(FPR) 0.01% 이하, 등록 음성 길이30초 이하, 테스트 음성 길이 10초 이하, 음성 신호대잡음비 20dB 이상의 조건에서 진양성률(TPR) 99.1% 이상;

(2) 1회 성문 처리의 엔드투엔드 지연 300밀리초 이하 및 처리량 초당 100건 이상;

(3) 녹음 재생·음성 합성·음성 변환 등 일반적 사기 공격의 전체 탐지율 98% 이상 또는 오수락률 1% 이하;

(4) 소수민족 언어 또는 특정 지역 방언에 특화된 성문 인식 최적화 능력을 갖추고 표준 테스트조건에서 인식 정확도 90% 이상.

20. 중국어 및 소수민족 언어 번역에 특별히 또는 주로 사용되며 다음 중 어느 하나의 특성을 가진 번역기술:
 (1) 표준 테스트세트의 사람 평가에 따른 평균의견점수(MOS) 4.8 이상;

(2) 번역의 의미 충실도가 95% 이상인 조건에서 일반 분야 번역의 표준 번역문과의 유사도점수(BLEU) 35 이상 또는 전문 분야 번역의 표준 번역문과의 유사도점수(BLEU) 30 이상.

8

266504X

AI 대규모 모델 기술

1. 중국의 중요데이터를 이용하여 학습한 후 서비스를 제공하는 대규모 모델.

2. 가중치 매개변수, 주요 체크포인트, 기반 소스코드, 아키텍처 설계, 학습 최적화·추론 가속 등의 기술을 포함하며 다음 중 어느 하나의 특성을 가진 대규모 모델의 핵심기술:

(1) 연산량 10²⁶회 이상의 부동소수점 연산; 

(2) 매개변수 수가 2조 개 이상; 

(3) 성능이 세계 선도 수준에 도달.

주: ① 소량(0.1% 이하)의 중요데이터만 학습에 사용하고 해당 데이터가 관련 분야 모델의 핵심기술 연구개발 능력을 실질적으로 향상시키지 않으며 비식별화·정제 등 안전조치로 출력에 해당 데이터가 재현되지 않거나, 해당 중요데이터를 적법하게 공개 취득할 수 있는 경우 제1항의 관리범위에서 제외한다. ② ‘중요데이터’ 범위는 「중화인민공화국 데이터안전법」 등 관련 법령에 따른다. ③ ‘성능이 세계 선도 수준에 도달’이란 수출 당시 국내외 주요 평가기관·대규모 산업 플랫폼 등이 대규모 모델의 종합성능, 전문업무 능력, 전 세계 호출량, 안전성, 학습효율 등을 공개 평가한 결과 세계 상위 10위에 해당함을 말한다.

9

266505X

AI 에이전트 기술

1. 자연어 명령을 실행 가능한 하위 작업 20단계 이상의 체인으로 자동 분해하고 작업 분해 정확도 80% 이상, 하위 작업 평균 성공률이 90% 이상인 자율 계획· 수립 및 작업 분해 기술.

2. 동시 협업 에이전트 60개 이상을 지원하고 동일한 효과 기준 전체 작업 완료시간이 단일 에이전트의 최소 완료시간의 2배 이하이며, 다중 에이전트 최종 결론과 표준답안의 일치율이 85% 이상인 협업 아키텍처 기술.

3. 제3자 도구 200개 이상을 통합 지원하고 도구 선택 정확도가 90% 이상이며, 3종 이상의 도구를 협업 호출해야 하는 작업의 엔드투엔드 평균 성공률이 90% 이상인 도구 호출 및 시스템 조작 기술.
 4. 다음 특성을 모두 가진 AI 게임·대결 의사결정 기술:

(1) 단일 작업의 의사결정 계획 깊이 20단계 이상 또는 동시 게임 에이전트 10개 이상;

(2) 전략 적응 능력을 갖추고 복잡한 동적 게임의 의사결정 지연 200밀리초 이하 및 제어단위 10개 이상;

(3) 표준 게임 벤치마크에서 인간의 90%를 초과하는 성능.

10

266506X

AI 칩 설계기술

1. 칩 아키텍처, 자체 개발 명령어 집합, 지능형 연산 IP 코어, 지원 기반 소프트웨어 스택 등을 포함하며 다음 중 어느 하나의 특성을 가진 AI 처리칩 설계기술:

(1) 14nm 이하 제조공정 사용 필요; 

(2) 부동소수점 또는 정수 연산능력 보유;

(3) 2.5D·3D 첨단 패키징 집적기술 적용; 

(4) 고속 상호연결 능력 보유; 

(5) 메모리 내 연산·뉴로모픽 컴퓨팅 등 비(非)폰 노이만형 신구조 기반; 

(6) 자율주행·컴퓨터 비전·지능형 음성 등 특정 분야에 적용 가능.

2. 메모리칩 설계기술:
 (1) 다음 중 어느 하나의 특성을 가진 3D 플래시 메모리칩 설계기술: 

① 저장밀도 8Gb/mm² 이상; 

② I/O 속도 1.5Gbps 이상; 

③ 본딩 기술 적용.

(2) 다음 중 어느 하나의 특성을 가진 메모리칩 설계기술: 

① 18nm 이하 메모리 제조공정 사용 필요; 

② 수직 채널 트랜지스터 구조 적용; 

③ 본딩 기술 적용;

④ 다층 적층 수행.

11

266507X

AI 컴퓨팅 클러스터 기술

1. 대규모 AI 컴퓨팅 클러스터의 칩 간 또는 노드 간 고속 상호연결 기술로서 양방향 대역폭 800GB/s 이상.

2. 대규모 AI 컴퓨팅 클러스터에서 분산 학습의 안정적 운용을 보장하고 다음 중 어느 하나의 특성을 가진 분산 학습 장애허용 기술:

(1) 체크포인트 복구 메커니즘의 평균 장애복구시간(MTTR) 120초 이하; 

(2) 자동 장애 감지 및 작업의 무중단 이전을 지원하고 장애로 인한 학습 작업의 가시적 중단시간 30초 이하;

(3) 일반적인 클러스터 규모에서 네트워크 장애로 인한 GPU 유효 컴퓨팅능력 낭비율 5% 이하.

3. 대규모 AI 컴퓨팅 클러스터의 통신 효율을 최적화하고 다음 중 어느 하나의 특성을 가진 고효율 통신 스케줄링 기술:

(1) 선형 확장성 98% 이상; 

(2) 동적 토폴로지 인식 라우팅 및 다중 플레인 간 부하분산 능력을 갖추고 엔드투엔드 통신 지연 시간 1마이크로초 이하; 

(3) 통신·과 연산의 높은 중첩을 지원하고 통신 은닉률 90% 이상.

4. 대규모 AI 컴퓨팅 클러스터에서 서로 다른 제조사 2곳 이상의 AI 칩을 통합 스케줄링·협업 추론하도록 지원하고 다음 중 어느 하나의 특성을 가진 이기종 클러스터 고효율 추론·스케줄링 기술(이기종 컴퓨팅자원 통합 스케줄링 프레임워크, 혼합정밀도 협업 학습 기술, 이기종 추론 최적화 기술, 이기종 클러스터 지능형 운영 유지보수 기술 등을 포함):

(1) 2종 이상의 고속 통신 프로토콜 통합 적응 및 혼합 스케줄링을 지원하고 칩 간 통신 대역폭 이용률 90% 이상 또는 노드 간 단말측 통신 지연 시간 5마이크로초 이하;

(2) 2종 이상의 서로 다른 아키텍처 연산 노드의 통합관리를 지원하고, 이기종 추론 클러스터 처리량 성능이 단일 칩 클러스터 방식보다 30% 이상 증가하거나 AI 가속카드 평균 이용률 65% 이상 증가하거나 추론비용 20% 이상 감소하거나 클러스터 평균 장애복구시간이 10분 이하이면서 가용성이 99.9% 이상;

(3) 지리적으로 분산된 2곳 이상의 AI 컴퓨팅센터 통합 컴퓨팅자원 스케줄링·작업배분을 지원하고 지역 간 스케줄링 학습효율이 단일 클러스터의 80% 이상이거나 지역 간 이기종 컴퓨팅자원의 실시간 부하분산·작업 이전을 지원.

주: ‘대규모 AI 컴퓨팅 클러스터’란 AI 가속카드 총수가 10,000장을 초과하는 연산 주체를 말한다.

번호

산업 분야

기술번호

기술명

통제 요건

1

의약품 제조업

262704J

세포·유전자치료 원천기술

독자적인 지식재산권을 보유한 세포·유전자치료 기술·공정 플랫폼.

주: ① 소유권의 국외 이전만 금지한다. 국외 라이선스 허여, 관련 기술·공정을 이용한 위탁 연구개발·생산 서비스 제공 등 소유권을 국외로 이전하지 않는 경우는 관리범위에 포함되지 않는다. ② 서로 다른 연구개발·생산 단계에 있는 특정 의약품 품목의 국외 협력 또는 사업개발(BD) 거래 과정에서 연구개발·시험·생산·품질관리·출시 및 규제준수 등에 필요한 기술·공정은 관리범위에 포함되지 않는다. ③ ‘기술·공정 플랫폼’은 장기간 연구개발로 축적된 재사용 가능한, 복수 의약품 개발을 지원할 수 있는 일련의 기반 공통기술을 말한다. 단일 의약품 품목의 개발기술·공정은 제외한다.

2

262705J

소핵산 의약품 원천기술

독자적인 지식재산권을 보유한 소간섭 RNA(siRNA) 의약품 기술·공정 플랫폼.

주: ① 소유권의 국외 이전만 금지한다. 국외 라이선스 허여, 관련 기술·공정을 이용한 위탁 연구개발·생산 서비스 제공 등 소유권을 국외로 이전하지 않는 경우는 관리범위에 포함되지 않는다. ② 서로 다른 연구개발·생산 단계에 있는 특정 의약품 품목에 관한 국외 협력 또는 사업개발(BD) 거래 과정에서 연구개발·시험·생산·품질관리·출시 및 규제준수 등에 필요한 기술·공정은 관리범위에 포함되지 않는다. ③ ‘기술·공정 플랫폼’은 장기간 연구개발로 축적된 재사용 가능한, 복수 의약품 개발을 지원할 수 있는 기반 공통기술을 말한다. 단일 의약품 품목의 개발기술·공정은 제외한다.

3

연구 및 시험개발업

267302J

병원성 미생물 기술

다음 중 어느 하나의 특성을 가진 병원성 미생물의 인공 유전자 변형 및 지향성 계대배양을 통한 기능 증강 기술:

(1) 알려진 또는 잠재적 병원성 미생물의 기능 강화 기술;

(2) 병원성 미생물의 대규모 증식, 지향성 진화 가속 및 특정 병원성 특성의 안정적 유지를 위한 계대배양 체계·공정;

(3) 자연 진화 과정을 모사하는 인공적 통제 계대배양 유도 기술.

번호

산업 분야

기술번호

기술명

통제 요건

4

의약품 제조업

262705X

세포·유전자치료 원천기술

독자적인 지식재산권을 보유한 세포·유전자치료 분야의 완전히 새로운 표적 발굴·검증 기술.

주: ① ‘완전히 새로운 표적’이란 전 세계에서 특허, 학술문헌, 공개 데이터베이스, 산업기술자료, 학술회의 등을 통해 공개된 적이 없는 약물 표적을 말한다. ② ‘완전히 새로운 표적 발굴·검증 기술’이란 완전히 새로운 표적을 선별·발굴·확인하고 의약품 개발 가능성이 있는 약물 작용 부위를 특정하는 기술을 말한다.

5

262706X

소핵산 의약품 원천기술

독자적 지식재산권을 보유한 소간섭 RNA(siRNA) 분야의 완전히 새로운 표적 발굴·검증 기술.

주: ① ‘완전히 새로운 표적’이란 전 세계에서 특허, 학술문헌, 공개 데이터베이스, 산업기술자료, 학술회의 등을 통해 공개된 적이 없는 약물 표적을 말한다. ② ‘완전히 새로운 표적 발굴·검증 기술’이란 완전히 새로운 표적을 선별·발굴·확인하고 의약품 개발 가능성이 있는 약물 작용 부위를 특정하는 기술을 말한다.

번호

산업 분야

기술번호

기술명

통제 요건

1

비금속 광물제품 제조업

263003J

폴리실리콘 제조기술

1. 단일 생산라인의 삼염화수소실란 생산능력이 연간 25만 톤 이상인 냉수소화 유동층 공정 및 그 장비 제조기술.

2. 단일 생산라인 생산능력이 연간 2만 톤 이상인 실란 유동층 반응기 공정 및 그 장비 제조기술.

2

263004J

실리콘 웨이퍼 제조기술

두께가 70마이크로미터 이하인 실리콘 웨이퍼 제조기술 및 그 장비 제조기술.

주: ‘실리콘 웨이퍼 제조기술’에는 프로그램 코드, 기반 알고리즘 모델, 장비 도면 등이 포함된다.

3

전기기계 및 장비 제조업

263801J

태양광 전지 제조기술

1. 다음 조건을 모두 충족하는 결정질 실리콘 태양전지 제조용 에지 패시베이션 전용 기술 및 그 장비 제조기술:

(1) 전체·반절·다분할 태양광 실리콘 웨이퍼에 사용 가능하고 전체 웨이퍼 크기 기준 각 변 길이 182~230mm; 

(2) 실리콘 웨이퍼 두께 140μm 이하.

2. 페로브스카이트 및 탠덤 전지 모듈 생산기술 및 그 장비 제조기술:

(1) 페로브스카이트·결정질 실리콘 탠덤 전지 기술: 양산 웨이퍼 크기 182mm 이상 및 효율 30% 이상;
 (2) 페로브스카이트 전용 슬롯다이 코팅 기술: 가공 폭 1.1m 이상;

(3) 대면적 단일접합 페로브스카이트 전지 모듈 기술: 모듈 면적 1m² 이상 및 효율 18% 이상;

(4) 대면적 탠덤 페로브스카이트 전지 모듈 기술: 모듈 면적 1m² 이상 및 효율 28% 이상.

4

비금속 광물제품 제조업

263004X

폴리실리콘 제조기술

1. 단일 생산라인 생산능력이 연간 3만 톤 이상인 폴리실리콘 엔지니어링 기술.

2. 단일 환원로의 폴리실리콘 생산능력이 연간 800톤 이상인 환원공정 및 그 장비 제조기술.

주: ‘엔지니어링 기술’에는 장비 엔지니어링 설계, 공장 건설 설계, 공정 패키지 등이 포함된다.

5

비금속 광물제품 제조업

263005X

실리콘 웨이퍼 제조기술

1. 태양광용 단결정 실리콘 잉곳 인상기술 및 그 장비 제조기술로서 다음을 포함함:

(1) 로 챔버 내경이 1,600mm 이상인 단결정 성장로의 설계·적용 방안; 

(2) 크기가 35인치 이상인 단결정 성장로의 핫존 설계·적용 방안; 

(3) 인상속도가 1.2mm/분 이상인 단결정 성장로 설계·적용 방안; 

(4) 등경(동일 직경) 소비전력 40kW 이하인 단결정 성장로 설계·적용 방안.

2. 태양광용 단결정 실리콘 잉곳 기계가공 기술 및 그 장비 제조기술:

(1) 반절단 잉곳의 절단·연삭 제조·가공 기술; 

(2) 길이가 720mm 이상인 실리콘 잉곳 제조에 사용 가능한 기계가공 기술.

3. 초박형 대형 태양광 실리콘 웨이퍼 제조기술 및 그 장비 제조기술:

(1) 어느 한 변의 길이가 182mm 이상인 직사각형 실리콘 웨이퍼의 제조에 사용할 수 있는 기술;

(2) 130μm 이하 두께의 실리콘 웨이퍼 제조에 사용할 수 있는 기술: ① 직경 28μm 이하의 텅스텐 와이어 절단 기술; ② 주축 회전속도 6,500rpm 이상 또는 메인 롤러 직경 120mm 이하 또는 메인 롤러 가로축 간격 370mm 이하인 절단장비 설계·적용 방안.

6

전기기계 및 장비 제조업

263802X

태양광 전지 제조기술

1. 고효율 터널산화막 패시베이션 접촉(TOPCon) 및 고효율 후면접촉(XBC) 결정질 실리콘 태양전지 제조기술과 그 장비 제조기술:

(1) 다음 조건을 모두 충족하는 초박형 터널산화막 및 도핑된 폴리실리콘 선택적 패시베이션 접촉층의 저압 화학기상증착(LPCVD)·플라즈마 강화 화학기상증착(PECVD) 태양광 전용 코팅기술:

① 전체·반절·다분할 웨이퍼에 사용 가능하며, 전체 웨이퍼 기준 각 변의 길이가 182~230mm; 

② 실리콘 웨이퍼 두께 140μm 이하; 

③ G12 전체 웨이퍼 기준 LPCVD 장비 생산능력 시간당 6,000장 이상 및 PECVD 장비 생산능력 시간당 6,000장 이상.

(2) 다음 조건을 모두 충족하는 산화알루미늄 표면 패시베이션층 원자층증착(ALD) 태양광 전용 코팅기술: 

① 전체 웨이퍼 기준 각 변의 길이 182~230mm; 

② 실리콘 웨이퍼 두께 140μm 이하; 

③ G12 전체 웨이퍼 기준 생산능력 시간당 12,000장 이상.

(3) 다음 조건을 모두 충족하는 고온 붕소 확산 태양광 전용 기술: 

① 전체 웨이퍼 기준 각 변의 길이 182~230mm; 

② 실리콘 두께 140μm 이하; 

③ G12 전체 웨이퍼 기준 생산능력 시간당 4,500장 이상.

(4) 다음 조건을 모두 충족하는 TOPCon 전지 구리 전기도금 전극 제조기술: 

① 전체·반절·다분할 웨이퍼에 사용 가능하며, 전체 웨이퍼 기준 각 변 길이 182~230mm; 

② 실리콘 두께 140μm 이하.

(5) 다음 조건을 모두 충족하는 저온 비정질·미세결정 실리콘 증착 및 PECVD 태양광 전용 코팅기술: 

① 전체·반절·다분할 웨이퍼에 사용 가능하며, 전체 웨이퍼 기준 각 변의 길이 182~230mm; 

② 실리콘 웨이퍼 두께 140μm 이하.

(6) 다음 조건을 모두 충족하는 XBC 전지 전기도금·무전해 도금 기술: 

① 전체·반절·다분할 웨이퍼에 사용되며, 전체 웨이퍼 기준 각 변의 길이 182~230mm; 

② 두께 140μm 이하.

2. 이종접합(HJT) 결정질 실리콘 태양전지 제조기술 및 그 장비 제조기술:

(1) 두께 110μm 이하 웨이퍼 가공에 사용 가능하고 다음 중 어느 하나의 특성을 가진 HJT 전지 적층 투명전도막 증착기술: 

① 투명전도막 인듐 함량 50% 이하; 

② G12 웨이퍼 기준 생산능력 시간당 반절 웨이퍼 14,000장 이상.

(2) 두께가 110μm 이하인 실리콘 웨이퍼 가공에 사용 가능하고 다음 중 어느 하나의 특성을 가진 HJT 전지 결정질 실리콘 박막 증착기술: 

① 고효율 N형 HJT 전지용으로 박막 결정화율 40% 이상 또는 G12 웨이퍼 기준 시간당 반절 웨이퍼 14,000장 이상; 

② P형 HJT 전지용으로 AM1.5 테스트조건에서 최고 변환효율 23% 이상 또는 AM0 테스트조건에서 최고 변환효율 20.5% 이상.

(3) 은 함량 30% 이하인 저은(低銀) 은피복 구리 HJT 태양전지 제조기술.

(4) 구리 전기도금 전극 HJT 전지 제조기술.

주: 이 유형 기술에서 ‘고효율’이란 AM1.5 테스트조건에서 전지 평균 변환효율 25% 이상 또는 양산 모듈 평균 변환효율 22.3% 이상을 말한다.