2026.10.14

EU, 이중용도 품목 수출통제 목록 개정 예고

I. 배경

유럽연합 집행위원회(European Commission)는 2026년 9월 14일, 모든 EU 회원국이 공통적으로 통제해야 하는 이중용도 품목 수출통제 목록(EU 수출통제 규정(Regulation (EU) 2021/821 부속서 I, 이하 “EU통제목록”)을 개정하는 위임규정(Delegated Regulation)을 채택했습니다.1 해당 규정은 통상 2개월간의 심사를 거쳐 EU 이사회와 유럽의회가 이의를 제기하지 않을 경우, 올 11월경 EU 관보에 게재된 후 발효될 예정입니다.

이번 개정은 2025년 다자간 수출통제체제(Wassenaar Arrangement (WA), Australia Group (AG), Nuclear Suppliers Group (NSG))에서 이루어진 결정을 반영하는 한편, WA에 참여하는 EU회원국들이 수락한 추가 통제도 EU차원의 공통 통제로 반영했습니다. 주요 개정사항에는 ▲반도체 제조·시험 장비 및 소재, ▲첨단컴퓨팅용 집적회로(IC) 및 전자조립품, ▲세라믹 기지 복합재료, ▲회전형 인코더, ▲적층제조 장비, ▲탄화규소(SiC) 섬유 생산용 화학기상증착 장비, ▲가스터빈 엔진용 축류 압축기 개발 기술 등의 신규 통제와 일부 통제기준, 기술적 정의 및 설명의 조정이 포함되었습니다.

본 뉴스레터에서는 EU 이중용도 품목 수출통제 목록의 주요 개정 내용을 간략히 안내하고, 이와 관련하여 우리 기업이 고려할 시사점에 대하여 살펴보도록 하겠습니다.

II. 주요 변경 사항

이번 개정은 일부 이중용도 품목을 추가·삭제하였으며, 일부 통제기준, 기술적 정의 및 설명을 업데이트했습니다. 주요 내용은 다음과 같습니다:2

구분	주요 개정사항	상세
1	첨단컴퓨팅용 IC 통제범위 확대	기존 3A501.a.16을 a와 b로 구분하여, a에서는 기존 TPP 6,000 이상 기준을 유지하고, b에서는 TPP 1,600 이상 6,000 미만이면서 성능밀도(performance density)가 5.92 이상인 IC를 새로 통제대상에 포함. 단, 비(非)데이터센터용 품목은 신설 3A501.a.16.b 통제대상 제외.3 ‘성능밀도’ 및 ‘데이터센터’ 정의 신설.4
2	전자부품 통제 대상 추가 및 일부 기준 조정	다음 품목들을 신규 통제대상으로 추가함. ▲3A501.f 특정 회전 입력형 절대위치 유도식 인코더 ▲3A501.h 특정 고체 전력반도체 스위치, 다이오드 또는 모듈5 이에 관련된 소프트웨어 통제도 3D001에 추가됨 한편, 일부 통제기준은 완화. ▲3A001.e.1.b. 이차전지(secondary cells)의 에너지밀도 기준은 350 Wh/kg → 500 Wh/kg로 상향하여 통제 범위 축소.
3	반도체 제조·검사 장비 및 관련 소프트웨어 추가	3B501.n.1.d. 및 3B501.o-t에 첨단 반도체 제조·검사 장비를 신규 추가함. 주요 품목은 다음과 같음. ▲3B501.n.1.d. 몰리브덴(Mo)·루테늄(Ru)용 원자층 증착(Atomic Layer Deposition, ALD) 장비 ▲3B501.o. 극자외선(Extreme Ultra-Violet, 이하 “EUV”) 포토레지스트의 코팅·증착·베이킹·현상 장비 ▲3B501.p. EUV 마스크 블랭크·패턴 마스크 결함·입자 검사장비 ▲3B501.q. 표면 개질(surface modification) 건조 방식의 단일 웨이퍼 습식 세정(single-wafer wet cleaning) 장비 ▲3B501.r. 초임계 CO₂ 또는 승화 건조(sublimation drying) 방식의 단일 웨이퍼 세정장비 ▲3B501.s. EUV 패턴 형성(pattern shaping)용 장비 ▲3B501.t. EUV 마스크용 다층 반사체(multi-layer reflector)의 이온빔 증착(ion-beam deposition) 또는 물리기상증착(physical vapor deposition) 증착장비 관련 소프트웨어 통제도 3D002에 추가됨.
4	첨단소재 및 제조장비 통제 대상 추가	다음 항목들을 신설함. ▲1B501.d.2. 레이저 기반 화학기상증착(CVD)를 이용한 복수 병렬 탄화규소(SiC) 섬유 생산장비 ▲1B504 고에너지 물질(energetic materials)을 이용하여 폭발물·화공품·추진제 장치 또는 형상을 제조하는 적층제조 장비 ▲1C507.c.1.a. 유리 또는 산화물 기지의 연속 멀라이트(mullite) 섬유 강화 세라믹 복합재료
5	레이저 통제기준 개편 및 통제면제 추가	6A005의 단일·다중모드 레이저 통제기준을 다음과 같이 조정함. ▲6A005.a.6.a.1 단일모드 레이저 출력 기준을 1 kW → 2 kW로 상향 ▲6A005.a.6.a.3 출력 1.5 kW 초과, 스펙트럼 대역폭 40 GHz 이상 100 GHz 미만인 특정 단일모드 레이저 신규 통제대상에 추가 ▲6A005.a.6.b. 다중모드 레이저의 출력(Output power) 기준을 2 kW에서 3 kW로 상향하고 일부 세부항목을 삭제하는 한편, BPP(Beam Parameter Product) 관련 통제제외 기준을 조정(Note 참고) 6A005.c.3 Note에 일정 요건을 충족하는 가변 레이저(tunable laser)에 대한 통제면제 규정을 신설함.
6	항공우주·가스터빈 관련 기술 통제 대상 추가	9E503.l.에 가스터빈 엔진의 축류 압축기(axial compressor) 개발에 필요한 기술을 신규 통제대상으로 추가함.

III. 시사점

위임규정은 EU 이사회와 유럽의회의 심사절차를 거쳐 EU관보에 게재된 후 그 다음 날부터 시행될 것으로 예상됩니다. 이번 개정은 첨단컴퓨팅 IC, 반도체 제조·검사장비, 첨단소재·제조기술 등 한국의 주요 산업과 밀접한 품목이 다수 포함되어 있어, EU에서 직접 수출하는 기업뿐만 아니라 EU공급업체와 거래하거나 EU 소재 자회사를 운영하는 한국 기업의 사업 및 공급망에도 영향을 미칠 수 있습니다. 특히 한국의 현행 통제목록과 비교할 경우, 일부 품목은 통제기준이 유사한 반면 일부 신규 EU 통제는 한국과 항목 구성 또는 통제범위에 차이가 있어, 동일 품목이라도 관할에 따라 분류 결과가 달라질 수 있습니다. 따라서 관련 기업은 발효에 앞서 다음 사항을 점검할 필요가 있습니다.

1. 자사 제품·소프트웨어·기술의 통제분류 및 허가요건 재점검

기업은 자사의 제품·소프트웨어·기술 포트폴리오 중 EU와 접점이 있는 거래와 활동을 우선 선별하여 신규 통제품목 해당 여부 및 기존 분류의 변경 필요성을 확인해야 합니다.

특히 EU에서 수출되는 품목과 EU 소재 자회사·R&D 조직이 EU 역외로 이전하는 소프트웨어·기술에 대해서 개정 EU통제목록에 따른 통제분류 및 허가요건의 변동 여부를 확인해야 합니다. EU 기업과의 공동 R&D, 설계파일·공정기술의 공유, 소프트웨어 업데이트 및 원격 기술지원 등 무형기술 이전 경로도 함께 점검할 필요가 있습니다. 우선적으로 검토할 필요가 있는 분야로는 ▲첨단컴퓨팅 IC(3A501.a.16), ▲반도체 제조·검사장비(3B501.n.1.d, 3B501.o-t), ▲SiC 섬유 생산장비(1B501.d.2), ▲고에너지 물질용 적층제조장비(1B504), ▲첨단 세라믹 복합재료(1C507.c.1.a) 등 신규 통제가 도입되거나 기준이 조정된 분야가 있습니다.

최근 한국의 이중용도품목 목록과 비교하면, 일부 기술기준은 EU와 한국이 동일하거나 유사한 기준을 사용하는 반면, 일부 통제품목은 한국과 항목 구성 또는 통제범위에서 차이를 보입니다.

예컨대 한국과 EU 모두 3A001.e.1.b 2차 셀의 에너지밀도 기준을 350 Wh/kg에서 500 Wh/kg으로 상향하여 통제 범위를 축소하였고, 6A005.a.6에서도 특정 단일횡모드 레이저의 출력 기준을 1 kW초과에서 2 kW초과로 상향하는 한편(6A005.a.6.a.1), 출력 1.5 kW를 초과하고 스펙트럼 대역폭이 40 GHz 이상 100 GHz 미만인 레이저를 별도 통제대상(6A005.a.6.a.3)에 추가하였습니다.

반면, 일부 품목에서는 EU와 한국의 통제기준에 차이가 있습니다. 예를 들어 EU가 신설한 3A501.f 및 3A501.h는 각각 특정 회전 입력형 절대위치 유도식 인코더와 특정 고체 전력반도체 스위치·다이오드·모듈을 대상으로 하는 반면, 한국 목록에서는 유사한 품목군을 3A001.f 및 3A001.h에서 다른 기준으로 통제하고 있습니다.

특히 첨단컴퓨팅 IC 통제의 경우 미국, EU와 한국의 통제기준 사이 공통점과 차이점이 뚜렷하게 나타납니다. 미국은 TPP 4,800 이상을 독립적인 통제기준으로 두는 한편, 그보다 TPP가 낮은 IC에 대해서도 TPP와 성능밀도를 결합한 다층적 기준을 적용하고 HBM도 별도로 통제하는 등 가장 광범위한 통제체계를 두고 있습니다. 예컨대 ECCN 3A090.a.1은 총처리성능(TPP)이 4,800 이상인 IC를, 3A090.a.2는 TPP가 1,600 이상이고 성능밀도(performance density)가 5.92 이상인 IC를 통제합니다. 또한 ECCN 3A090.b는 (i) TPP가 2,400 이상 4,800 미만이면서 성능밀도가 1.6 이상 5.92 미만이거나, (ii) TPP가 1,600 이상이면서 성능밀도가 3.2 이상 5.92 미만인 IC를 통제합니다. 나아가 ECCN 3A090.c는 메모리 대역폭 밀도(memory bandwidth density)가 2 GB/s/mm²를 초과하는 HBM을 통제합니다.

EU는 기존 TPP 6,000 이상 기준을 유지하면서 이번 개정을 통해 3A501.a.16.b에 TPP가 1,600 이상 6,000 미만이면서 성능밀도가 5.92이상인 일정한 IC까지 통제범위를 확대했습니다.

반면, 2026년 9월 1일자로 시행된 한국의 이중용도품목 목록은 3A501.a.16에서 TPP 6,000 이상인 집적회로를 포괄적으로 통제하고 있습니다.

이와 같이 EU가 미국과 같이 TPP 1,600 이상 및 성능밀도 5.92라는 기준점을 동일하게 적용하기 시작한데 반해, 한국은 이러한 기준점을 적용하지 않고 있고, 따라서 동일한 제품이라도 미국·EU·한국에서 통제 여부가 달라질 수 있습니다. 즉 한국에서 비(非)통제품목으로 분류된 IC라도 미국 또는 EU에서 통제대상에 해당할 수 있으므로, 관련 기업은 한국의 품목분류 결과에만 의존하지 않고 거래 및 공급망과 관련된 각 관할의 통제기준을 별도로 확인할 필요가 있습니다.

2. EU 공급망 및 조달 영향 점검

한국 기업이 EU에서 직접 수출하지 않더라도 EU 공급업체로부터 통제대상 품목을 조달하는 경우에는 EU 수출자 측 품목분류 및 수출허가 요건에 따라 공급조건이나 일정에 영향을 받을 수 있습니다. 따라서 주요 EU 공급업체로부터 조달하는 품목에 대해서는 개정 EU통제목록에 따른 품목분류 및 허가 필요 여부를 공급업체와 확인하고, 신규 허가 취득 등에 따른 조달 일정·조건의 변동 가능성을 사전에 점검할 필요가 있습니다.

3. 내부 컴플라이언스 체계 및 공급망 관리절차 업데이트

위임규정이 발효되면 개정된 통제번호와 기술기준을 내부 수출통제 분류체계, 제품 DB 및 컴플라이언스 프로그램에 반영하고, 컴플라이언스·영업·연구개발(R&D), 물류 등 관련 담당자에게 주요 변경사항과 그 실무적 영향을 교육해야 합니다.

더불어, 공급업체·고객 등 공급망 내 여러 기업이 통제품목의 제조, 이전, 사용 등에 관여하는 경우, 기존에 공유 및 활용하던 품목분류 및 기술사양 정보가 개정 이후에도 유효한지 재확인하고 필요 시 관련 정보를 업데이트하여 공유하는 것이 바람직합니다. 또한, EU공급업체로부터 통제품목을 조달하는 기업은 공급업체의 품목분류 및 허가 필요 여부를 확인할 수 있는 절차를 마련하고, 허가 취득에 따른 공급조건·일정의 변동 가능성을 조달 및 사업계획에 반영하는 방안도 검토해야 합니다.

아울러, 향후 규제당국의 감사, 조사, 질의 등에 대비하여 이번 개정에 따른 제품 분류 검토, 허가 취득 필요성에 대한 판단, 그리고 관련 내부 컴플라이언스 조치의 근거를 기록·보관할 필요가 있습니다. 특히 기술 기준이 변경된 품목의 경우 기존 분류 결과를 적용하기보다, 개정 후에도 해당 분류가 유효한지 확인하고, 그 판단의 근거가 된 기술사양과 검토 결과를 문서화하는 것이 바람직합니다.

4. EU회원국별 추가 통제 및 당국 지침 모니터링

이번 개정 EU통제목록은 EU 차원의 공통 통제목록이지만, 복수의 EU회원국에서 사업을 운영하는 기업은 EU 공통 통제 외에 적용될 수 있는 회원국별 추가 국가 통제 및 관련 절차도 함께 확인할 필요가 있습니다. 또한 각 회원국 관할당국이 발표하는 시행·품목분류·수출허가 관련 지침을 지속적으로 확인하고, 신규 기술기준의 적용이나 품목분류가 불명확한 경우에는 관할 수출통제 당국과 조기에 협의하는 것이 바람직합니다.

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법무법인 태평양 수출입규제대응센터는 전략물자 및 해외수출통제(ITAR, EAR 등), 방산물자 및 국방과학기술(방위산업기술 포함) 수출통제, 국가핵심기술(NCT) 및 국가첨단전략기술(NHT), 국가안보심의 및 투자심사, 국내외 수출입규제 대응 컴플라이언스 시스템 구축 및 지원, 관세청 등 수사 및 조사 대응, 외환거래 및 대외투자 관리, 국제분쟁 및 조사대응 등 광범위한 영역을 아우르고 있습니다. 각 분야에서 풍부한 경험과 전문성을 갖춘 다수의 전문가들이 협업하여, 개별 고객의 상황과 필요에 최적화된 맞춤형 자문 서비스를 제공하고자 합니다.

저자: 김지이나 변호사, 황호성 전문위원, 김소담 변호사

EU집행위 보도자료(2026. 9. 14.). “2026 Update of the EU Control List of Dual-Use Items”. https://policy.trade.ec.europa.eu/news/2026-update-eu-control-list-dual-use-items-2026-09-14_en
EU집행위 위임규정 C(2026/6323) https://ec.europa.eu/transparency/documents-register/detail?ref=C(2026)6323&lang=en
3A501 Electronic items as follows: a. General purpose integrated circuits, as follows:
16. Integrated circuits, having one or more digital processing units, having any of the following:
a. A 'Total Processing Performance' ('TPP') greater than or equal to 6 000; or
b. A 'TPP' greater than or equal to 1 600 and less than 6 000 and a 'performance density' greater than or equal to 5,92;
Note: 3A501.a.16.b. does not control items that are not designed for use in 'data centres'.
Technical Notes to 3A501.a.16:
5. 'Performance density' is 'TPP' divided by 'applicable die area'. 'Applicable die area' is measured in millimetres squared and includes all die area of logic dies manufactured with a process node that uses a non-planar transistor architecture.
6. 'Data centre' is a structure, or group of structures, dedicated to the centralised accommodation, interconnection and operation of information technology and network telecommunications equipment providing data storage, processing or transmission services together with all the facilities and infrastructure for power distribution and environmental control.
3A501.h Solid-state power semiconductor switches, diodes, or 'modules', rated for a maximum operating junction temperature less than or equal to 488 K (215°C) and having all of the following:
1. Repetitive peak off-state voltage (blocking voltage) exceeding 5000 V;
2. Continuous current greater than 1 A; and
3. Semiconductor material with a bandgap of more than 2.0 eV.